关于钨酸铜(I)(Cu 2 WO 4 )的研究

关于钨酸铜(I)(Cu 2 WO 4 )的研究

p 型三元氧化物半导体钨酸铜 (I) (Cu 2 WO 4 )。Cu 2 WO 4通过时间效率高的电弧熔化法合成,结晶红色颗粒产物在紫外-可见光谱区显示出宽带吸收,热稳定性高达~260°C,并具有阴极光电化学活性。铜从 Cu(I) 到 Cu(II) 氧化态的受控热氧化表明,晶格可以容纳 Cu 2+阳离子,最高可达 ~260 °C,超过此温度,化合物转化为 CuO 和 CuWO 4。该过程由粉末 X 射线衍射和 X 射线光电子能谱监测。Cu 2 WO 4的电子能带结构与 Cu(II) 对应物 CuWO 4的电子能带结构形成对比使用自旋极化密度泛函理论 (DFT)。最后,确定化合物 Cu 2 WO 4具有高位(负电位)导带边缘,强调了其驱动高能光氧化还原反应的前景—–原文敬请访问钨酸铜(I)的电弧合成、晶体结构和光电化学

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