钒掺杂二硫化钨二维原子晶体的化学气相沉积法（CVD）制备简介
近年来,随着石墨烯的发现,二维材料进入了人们的视野,其中二维层状过渡金属硫属化合物(TMDCs)作为二维材料中重要的一部分,有着最轻,最薄,极佳的导热导电性等优秀的物理性能,以WS2,MoS2为代表,在晶体管,光电探测器,柔性器件等领域有广阔的应用前景,是构建下一代光电子器件的候选材料.虽然其性能独特,但是单一的TMDCs无法同时应用在多个领域,所以需要对TMDCs进行异质结的构建或者掺杂,将原有性能进行改善,赋予其更多的物理特性.同时不同领域对二维材料的质量与尺寸有着不同的要求,所以对生长条件进行探索总结,满足不同应用领域的需求,实现掺杂样品的可控制备也是今后需要重点解决的问题之一.本论文主要围绕低压化学气相沉积法(CVD),对V掺杂的WS2二维晶体进行了生长,并系统研究了生长过程中不同因素对V掺杂WS2二维晶体的形貌及掺杂浓度的影响,达到了可控生长的目的,并进行了电输运性能的测试,主要研究内容如下:(1)通过化学气相沉积法,以S粉为硫源,WO3为钨源,V2O5为钒源,Si/SiO2(300nm)为基底,一步法制备了V掺杂的WS2二维晶体,通过改变V掺杂WS2二维晶体不同生长条件,可以在1×1cm的基片上获得分散性较好的单层V掺杂WS2和接近连续的单层掺杂薄膜;使用两步法,S粉作为硫源, V2O5粉末作为V源,长有WS2的Si/SiO2(300nm)基片作为基底。。。
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