陶瓷靶三氧化钨薄膜制备步骤有哪些?

 

陶瓷靶三氧化钨薄膜制备步骤有哪些?

采用射频磁控溅镀法制备陶瓷靶三氧化钨薄膜的步骤如下:

  1. 基材在使用前先将导电玻璃ITO做清洁,顺序为使用去离子水、酒精、丙酮以超音波震荡机各震荡15分钟清除表面污渍及有机物;
  2. 取出试片吹干,迅速放入真空腔中准备溅镀;

3. 基材置入真空室后,先以机械回转泵抽至3×10-3左右,再使用冷凝帮浦抽至2×10-6以下持续半小时,并且加热基板到实验温度,此时导入Ar气氛O2氧气在不同的氧气氛下沉积,靶材表面溅镀前处理以去除杂质及氧化层,调整溅射功率到(100W)。

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