扩散式钡钨阴极的制备工艺是怎样的？

扩散式钡钨阴极的制备工艺是怎样的？

扩散式钡钨阴极的制备工艺通常包括以下步骤：

一、钨基体的制备  

原料准备

选择高纯度的钨粉或其他合适的原料。

成型

将钨粉压制或注射成多孔钨基体的形状。这通常通过粉末冶金技术实现，如压制成型、注射成型等。

烧结

将成型后的钨基体在高温下进行烧结，使其具有足够的强度和孔隙结构。

二、钡盐浸渍

制备浸渍液

将钡盐（如BaO、BaCO₃等）与适量的助熔剂（如Al₂O₃、CaO等）混合，并加入有机溶剂（如乙醇）制成浸渍液。

浸渍处理

将多孔钨基体浸入浸渍液中，使钡盐充分渗透到基体的孔隙中。

干燥

将浸渍后的钨基体进行干燥处理，去除有机溶剂。

三、激活处理

高温处理

将浸渍并干燥后的钨基体在高温下（如1000-1200°C）进行加热处理，使钡盐与钨基体发生化学反应，生成活性钡原子。

真空处理

在激活过程中，通常需要保持真空环境，以避免杂质气体对阴极的污染。

四、封装与测试

封装

将激活后的扩散式钡钨阴极进行封装处理，以保护其免受外界环境的影响。

测试

对封装好的阴极进行发射性能测试，包括发射电流密度、发射稳定性等指标的评估。

扩散式钡钨阴极的制备工艺可能会因具体的应用需求和设备条件而有所不同。在实际制备过程中，需要根据具体情况进行调整和优化。同时，为了获得更长的阴极寿命和更好的发射性能，还需要对制备工艺进行不断的改进和创新。

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