高纯钼片（纯度≥99.95%）通过先进提纯工艺（如电子束熔炼或区域熔炼）制备，杂质（如碳、氧、氮、铁）含量极低，通常低于50 ppm。这种高纯度赋予其优异的化学稳定性、导电性和抗氧化性，适用于高要求场景。物理性能上，高纯钼片密度为10.28 g/cm³，抗拉强度500-700 MPa，硬度150-200 HV，延展性适中（延伸率10-20%）。其抗蠕变性能在1000°C-2000°C下优异，适合高温炉元件。化学性能方面，室温下不与稀酸、碱反应，600°C以上氧化环境需真空或惰性气体保护，因氧化生成MoO₃。高纯度减少晶界缺陷，提升韧性和疲劳性能（疲劳强度约250-350 MPa），表面质量高，适合精密加工。应用上，高纯钼片广泛用于半导体制造（如溅射靶材、基板）、真空炉加热元件及航空航天高温部件，因其低杂质确保性能一致性。生产成本较高，但高纯度带来的可靠性使其在高端领域不可替代。需注意，高温氧化仍需保护，表面涂层或保护气氛可延长寿命。检测纯度常采用光谱分析，确保符合标准。
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