电子领域应用的钼片以高纯度（≥99.95%）、优异表面质量和特定物理性能为特点，满足半导体和电子器件制造需求。高纯度通过电子束熔炼实现，杂质（如碳、氧）低于50 ppm，确保低缺陷率和化学稳定性。物理性能包括密度10.28 g/cm³，抗拉强度500-700 MPa，硬度150-200 HV，延展性适中（延伸率10-20%）。关键特点是低热膨胀系数（4.8 × 10⁻⁶/K），接近硅（2.6 × 10⁻⁶/K），减少热应力，适合基板或引线框架。导热性（138 W/m·K）和导电性（电导率1.87 × 10⁷ S/m）良好，支持高效热管理和电流传输。表面光滑（抛光处理，粗糙度Ra<0.1 μm），利于薄膜沉积，如溅射靶材制造芯片或显示器涂层。化学性能上，室温下耐稀酸、碱，但600°C以上氧化需真空保护。应用包括半导体基板、溅射靶材、X射线管阳极，需高精度加工和严格质量控制。优点是性能稳定、热匹配性好；缺点是成本高，氧化敏感。检测采用光谱分析和表面形貌测试，确保符合电子行业标准。
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