钼片在半导体制造中应用广泛，主要作为溅射靶材、基板和引线框架，凭借高纯度（≥99.95%）、低热膨胀系数和优异导电导热性满足高精度需求。1）溅射靶材：钼片通过溅射沉积钼或钼合金薄膜，形成半导体电路或栅极，纯度高（杂质<50 ppm）确保薄膜均匀，低缺陷率。表面抛光（粗糙度Ra<0.1 μm）提升沉积质量。2）基板：钼片用作芯片制造基板，热膨胀系数（4.8 × 10⁻⁶/K）接近硅（2.6 × 10⁻⁶/K），减少热循环应力，确保芯片稳定性。导热性（138 W/m·K）有效散热，抗拉强度500-700 MPa支持精密加工。3）引线框架：钼片作为功率器件引线，导电性（1.87 × 10⁷ S/m）保证电流传输，硬度（150-200 HV）耐机械应力。化学性能上，室温下耐稀酸、碱，600°C以上氧化需真空保护。冷轧钼片（厚度0.1-1 mm）提供高强度（800-1000 MPa）和光滑表面。应用包括集成电路、功率半导体及MEMS器件。优点是热匹配好、性能稳定；缺点是成本高、氧化敏感。质量控制采用光谱分析、厚度测试和显微检查，确保符合半导体标准。
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