钼片作为等离子镀膜溅射靶材具有多重优势,满足高精度薄膜沉积需求。1)高纯度:纯度≥99.95%,杂质<50 ppm,确保薄膜低缺陷率,适合半导体和显示器。2)优异导电性:电导率1.87 × 10⁷ S/m,支持高效等离子放电,提升溅射速率。3)良好导热性:138 W/m·K有效散热,防止靶材过热,延长使用寿命。4)低热膨胀系数:4.8 × 10⁻⁶/K与硅、玻璃基板匹配,减少薄膜应力裂纹。5)高强度和硬度:抗拉强度800-1000 MPa,硬度160-200 HV,耐离子轰击,减少靶材磨损。6)表面质量:冷轧抛光(粗糙度Ra<0.1 μm),确保溅射均匀性,薄膜质量高。7)化学稳定性:室温下耐稀酸、碱,适合真空镀膜环境,但600°C以上需保护避免氧化。钼片支持复杂薄膜(如MoS₂),用于TFT、CIGS电池等。缺点是成本高、氧化敏感。质量控制包括光谱分析、表面形貌和溅射测试,确保靶材性能稳定。
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