钡钨阴极的制备工艺是什么?

钡钨阴极(Ba-W cathode)是一种热电子发射阴极,广泛应用于真空电子器件(如微波管、阴极射线管等)中,因其具有较低的逸出功和较高的发射电流密度。以下是钡钨阴极的典型制备工艺流程概述:

1. 基体材料准备

  • 材料选择:钡钨阴极通常以多孔钨(W)作为基体,因为钨具有高熔点、耐腐蚀和良好的机械性能。多孔钨基体的孔隙率通常在20%-30%,以便于活性物质的储存和扩散。
  • 制备钨基体
    • 通过粉末冶金法,将高纯度钨粉压制成多孔钨坯料。
    • 在高温(约2000°C-2500°C)下进行烧结,获得具有适当孔隙结构的钨基体。
    • 烧结后,钨基体需进行机械加工(如切割、磨削)以达到所需尺寸和表面平整度。

2. 活性物质制备

  • 钡盐配制:活性物质通常是含钡的化合物,如碳酸钡(BaCO₃)、氧化钡(BaO)或其他钡盐(如硝酸钡 Ba(NO₃)₂)。这些物质在高温下分解,释放出游离钡,降低阴极表面的逸出功。
  • 配方优化:常将碳酸钡与其他化合物(如碳酸钙 CaCO₃、碳酸锶 SrCO₃)按一定比例混合(如4:1:1的BaCO₃:SrCO₃:CaCO₃),形成“钡钙铝酸盐”或类似化合物,以提高发射性能和稳定性。

3. 浸渍工艺

  • 浸渍活性物质
    • 将钨基体置于真空或惰性气体环境中(防止氧化)。
    • 将熔融的钡盐化合物(或其溶液)浸入多孔钨基体的孔隙中。通常采用高温浸渍法(约1500°C-1700°C),使钡盐充分渗透到钨基体的孔隙内。
    • 控制浸渍时间和温度,确保孔隙填充均匀且不过量。
  • 冷却与清洗:浸渍后缓慢冷却,清洗基体表面多余的活性物质,以避免表面污染。

4. 表面处理

  • 热处理:将浸渍后的阴极在真空环境中进行高温热处理(约1000°C-1200°C),使钡盐分解为氧化钡(BaO)或其他活性形式,同时促进钡原子向表面扩散。
  • 表面抛光:通过机械或化学方法对阴极表面进行抛光,减少表面缺陷,提高发射均匀性。

5. 激活工艺

  • 真空激活:将阴极安装在真空系统中,逐步加热至激活温度(约1000°C-1200°C)。在此过程中,氧化钡与钨基体反应,生成游离钡,覆盖在阴极表面,形成低逸出功的发射层。
  • 控制气氛:激活通常在高真空或微量还原性气体(如氢气)环境中进行,以避免氧化和污染。
  • 老化处理:激活后进行长时间的老化(约几十小时),以稳定发射性能和延长阴极寿命。

6. 封装与测试

  • 封装:将制备好的阴极封装到电子器件中,确保其在真空环境中工作。
  • 性能测试:测试阴极的发射电流密度、逸出功、寿命和稳定性。典型钡钨阴极的逸出功约为1.5-2.0 eV,发射电流密度可达1-10 A/cm²。

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