钡钨阴极（Barium-Tungsten Cathode）是一种常用的热电子发射阴极，广泛应用于真空电子器件（如微波管、X射线管等）。其制作工艺流程较为复杂，需要精确控制材料和工艺条件，以确保阴极具有良好的发射性能和稳定性。以下是钡钨阴极制作的典型工艺流程，分为几个主要步骤：
- 基体准备：选用高纯钨粉，压制成型后高温烧结（2000-2500°C），制成多孔钨基体。
- 活性物质配制：将碳酸钡、碳酸钙、氧化铝按比例混合，研磨后预烧结（1000-1200°C），形成钡铝酸盐。
- 浸渍：将熔融钡铝酸盐浸入多孔钨基体（1500-1700°C），冷却后清洗表面。
- 表面处理：机械加工、抛光，必要时涂覆锇或铱薄膜。
- 热处理与活化：真空热处理（1000-1200°C）去气，再加热（900-1100°C）活化，释放游离钡形成发射层。
- 测试与封装：测试发射性能，合格后封装到器件中。
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