钡钨阴极（Barium-Tungsten Cathode）的局限性或不足主要包括以下几点：
复杂制备工艺：制作过程涉及多孔钨基体制备、钡铝酸盐浸渍、高温烧结和活化等步骤，工艺复杂、设备要求高，导致生产成本高于氧化物阴极。
真空环境要求：需较高真空度（10⁻⁵至10⁻⁶ Torr）以避免钡蒸发或污染，环境适应性不如纯钨阴极。
活化时间长：初始活化需数小时以释放游离钡，启动速度慢，不适合需快速响应的应用，相比氧化物阴极或六硼化镧阴极逊色。
较高工作温度：运行温度（900-1100°C）高于氧化物阴极（700-850°C），能耗较大，对器件散热设计要求高。
钡化合物毒性：钡盐有毒，制备和处理需严格防护，增加安全成本和操作复杂性。
发射电流密度局限：虽然电流密度较高（数A/cm²），但在超高电流密度应用（如高分辨率电子显微镜）中不如六硼化镧阴极或场发射阴极。
表面涂层依赖：为优化性能常需涂覆贵金属（如锇、铱），增加成本，且涂层可能随时间剥落，影响长期稳定性。
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