钡钨阴极电导率表现良好，受多种因素影响，以下为具体分析：
基础电导率表现
钨基体本身电导率较高，常温下电阻率约5.65×10⁻⁸ Ω·m，这为钡钨阴极提供了良好的导电基础。钡元素虽会引入少量缺陷或杂质能级，但对钨基体电导率影响相对较小，在保证发射性能的同时，仍能维持较好的导电能力。
温度对电导率的影响
- 温度升高电导率上升：温度升高使钨原子热振动加剧，电子传导时受散射作用减弱，平均自由程增加，电阻率降低，电导率提高。例如在钡钨阴极工作温度范围（浸渍型1350℃ – 1600℃，覆盖型1600℃ – 1800℃）内，随温度升高，其电导率会逐渐增大。
- 高温稳定性：正常工作温度下电导率较稳定，但温度过高（如超1800℃），钨蒸发加剧，表面结构变化，电阻增大，电导率下降。
制备工艺对电导率的影响
- 粉末冶金工艺：控制粉末粒度、成型压力和烧结温度等参数可影响阴极微观结构和致密度。致密度高（如达理论密度95%以上）能减少内部孔隙和缺陷，降低电子传导散射，提高电导率。
- 表面处理工艺：清洗、抛光等可去除表面杂质和氧化层，改善表面状态，利于电子发射和传导，降低表面电阻，提高电导率。特殊表面涂层处理（如涂覆导电性好的金属或合金薄膜）还能进一步增强导电性。
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