钡钨阴极的电阻率并非固定值，其具体数值受材料组成、制备工艺和工作条件（如温度）的显著影响。
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纯钨基体主导性
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阴极以金属钨为导电骨架，纯钨在常温（20°C）下的电阻率约为 5.65×10⁻⁸ Ω·m，构成阴极电阻率的基础参考。
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实际电阻率高于此值，因多孔结构及钡化合物填充增加了电子传导路径的曲折度与界面散射。
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钡化合物的影响
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铝酸盐等发射物质填充于钨基体孔隙中，其导电性低于金属钨，会轻微提升整体电阻率。
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钡的核心功能为降低电子逸出功（促进电子发射），对电阻率的次要影响可通过工艺优化抑制。
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