中钨智造（CTIA）—钨铜合金（WCu）技术数据与规格
一、中钨智造（CTIA）钨铜合金（WCu）产品概述
中钨智造（CTIA）生产的钨-铜合金属于金属基复合材料（pseudo-alloy），以粉末冶金＋铜熔融浸渗或共烧结路线制备。通过调节W/Cu比及致密化工艺，可实现从高导热、高导电到高耐烧蚀、低热膨胀等不同组合的性能以满足开关触头、EDM 电极、散热基板与高温结构件等应用需求。CTIA 公布的产品覆盖WCu7 ~ WCu50等不同铜含量范围，并提供定制配比与加工服务。
二、中钨智造（CTIA）钨铜合金常见牌号与典型物性
中钨智造（CTIA）钨铜合金常见牌号与典型物性
三、中钨智造（CTIA）钨铜合金典型微观组织与制造工艺概述
制造路线
粉末制备（钨粉粒度分级、氧化物去除）
压坯（等静压/单向压）→胚料/绿体
预烧结/活化烧结（连接颗粒、形成连通孔）
铜熔融浸渗（或共烧结/压—烧）→填充孔隙形成连续铜相或间隙铜相
后处理（缓冷、机械加工、表面处理）
微观特征
钨相呈连续或骨架状、铜相呈连通或间断充填网络。界面结合质量（无氧化夹杂）是影响导热与电弧耐久性的关键。CTIA强调通过粉体选择、烧结曲线和真空/氢还原处理来降低氧含量并获得优异界面。
四、机械、热、电性能测试与质量控制指标
化学成分（W, Cu,及杂质Fe, Ni, O）— ICP-OES/ICP-MS
实测密度（阿基米德法）与理论密度比（计算残余孔隙率）
热导率（Laser-flash 或稳态法）—在20°C与100°C（或客户指定温度）
电阻率/导电率（四探针或直流电阻）—20°C
线膨胀系数（CTE）— MA（20–200°C）或更宽温区按需
显微组织（光学与 SEM，显示铜相分布与界面）
硬度（HV 或 HB）与拉伸/弯曲强度（如适用）
电弧/烧蚀试验（针对触头/电极应用，标准化脉冲条件下的 mg/循环）
交付合格标准
密度：≥ 99.0%理论密度
热导率：与牌号典型值± 0%
电导率：与牌号典型值± 10%
残余孔隙率：≤1.0–2.0%（视牌号）
含量：≤ 0.03 wt%（
五、加工、公差与装配注意事项
加工：W–Cu 相对可加工（车、铣、磨、线切、EDM），但刀具磨损较快。对于精密公差（±0.01–0.05 mm），推荐粗加工后进行研磨或放电加工。
热处理：避免在空气中高温长时暴露；若需高温应用，建议在真空或惰性气氛下进行应力消除退火。
表面处理：可镀镍、银或做化学钝化以改善焊接/钎焊性和抗腐蚀性。
接合：与铜或钢接合需选用兼容钎料或采用过渡层（如 Ni）控制界面扩散与热膨胀差。
公差（实际公差需在订单中确认）
板材/片材：厚度公差±0.05–0.2 mm
棒材/圆件：直径公差±0.02–0.1 mm
六、主要应用与选型建议
高压开关触头/ 接触件
特点需求：耐弧、低迁移、长寿命 → 推荐高 W 含量（≥ 80 wt%）或 W80–W90 系列。
电火花加工（EDM）电极
特点需求：高致密、低电耗、尺寸稳定 → 推荐 W70–W80 系列（W70Cu30 为常用牌号）。
功率半导体封装 / 散热基板
特点需求：高热导与 CTE 匹配 → 推荐 W50–W60（或 W70，视匹配目标）配比，并在出货时提供 CTE 与热导测试数据。
航空 / 航天高温结构与配重
特点需求：高密度与耐高温气流 → 推荐高 W 含量并按特殊表面处理。
X-射线靶背衬、热流场承载件
推荐 W75–W90 牌号以承受局部高能轰击并快速传导热量。
七、质量与环境、回收建议
钨为战略与稀有资源，CTIA建议建立W-Cu废料回收流程（切屑、熔渣、加工碎屑回炉）。
生产过程应进行粉尘控制（W粉细颗粒危害），烧结/浸渗过程建议在闭式真空或氩气保护环境下执行以减少氧含量。
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