钡钨阴极的电子发射机制是通过热电子发射来实现的。热电子发射是一种电子从固体表面逸出的现象，其机制基于量子力学的隧穿效应。以下是钡钨阴极的电子发射机制的基本原理：
隧穿效应： 钡钨阴极表面附近存在一个电子势垒，需要克服这个势垒才能将电子从固体表面逸出。根据量子力学的隧穿效应，即使电子的能量低于势垒高度，仍然存在一定概率穿越势垒逸出。这意味着，在足够高的温度下，固体表面附近的电子将以一定的概率发射到空间中。
热电子发射： 在钡钨阴极的情况下，通过加热阴极，可以使表面附近的电子获得足够的热能，以克服表面势垒，从而发射到空间中。因此，钡钨阴极的电子发射是通过加热阴极材料，提供足够的热能来实现的。
钡的作用： 钡的添加可以显著提高电子发射效率。这是因为钡能够降低阴极表面的功函数，使电子更容易逸出。此外，钡在高温下会与气体反应，生成钡气化物，从而进一步降低电子发射所需的能量。
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