钡钨发射体空心阴极的制作工艺是什么?
钡钨发射体空心阴极的制作工艺一般包括以下步骤:
制备多孔钨基底
首先,需要制备一个多孔的钨基底。这些孔隙用于后续步骤中吸附和储存活性物质。
制备NH4ReO4(高铼酸铵)水溶液
将NH4ReO4晶体粉末溶于去离子水中,并加热该溶液至60°C以上,使NH4ReO4晶体完全溶解。
吸附NH4ReO4溶液
将多孔钨基底浸入NH4ReO4溶液中,使多孔钨基底吸附NH4ReO4溶液。多孔钨基底的孔度通常在18%至30%之间,以确保足够的吸附能力。
烘烤和烧结
对吸附了NH4ReO4溶液的多孔钨基底进行烘烤和烧结,使其转化为W-Re(钨-铼)基底。这个过程中,NH4ReO4会分解并释放出铼元素,与钨基底形成W-Re合金。
浸入铝酸盐并覆膜
在W-Re基底中浸入铝酸盐并进行覆膜处理,这一步是为了在阴极表面形成一层稳定的、低逸出功的发射层。这层发射层是阴极能够发射电子的关键。
后续处理
根据需要,可能还需要进行其他后续处理,如清洗、烘干、封装等。
通过以上步骤,就可以完成钡钨发射体空心阴极的制作。这种阴极具有高效的电子发射性能、长的使用寿命和良好的稳定性,被广泛应用于各种真空电子器件中。
需要注意的是,具体的制作工艺可能会因不同的材料、设备和要求而有所差异。因此,在实际制作过程中,需要根据具体情况进行调整和优化。
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