钡钨阴极发射效率较高,通常可达 10% – 30%。
发射效率是指阴极发射电子的能量与输入热能之比。钡钨阴极具备良好发射效率,得益于其独特结构和材料特性。钨基体熔点高、热稳定性好,能耐受高温工作条件;表面覆盖或浸渍的钡化合物在高温下易分解、挥发,在表面形成活性发射中心,降低电子逸出功,使电子更易逸出。
不过,其发射效率受多种因素影响。工作温度是关键,温度升高,发射效率一般提高,但过高温度会加速钡挥发,缩短阴极寿命。阴极表面状态也重要,若表面存在污染、氧化或结构缺陷,会降低发射效率。此外,真空度也会影响,低真空度下,电子与气体分子碰撞概率增加,导致发射效率下降。
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